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中国芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限
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简介近日,媒体报道称,台积电计划在1.6nm芯片工艺时,继续使用目前标准的EUV光刻机,也就是数值孔径=0.33NA的光刻机,而不是最新的High NA EUV。台积电说是因为其太贵了,一台要3.5亿欧元 ...
近日,中国媒体报道称,芯的息E限台积电计划在1.6nm芯片工艺时,好消继续使用目前标准的光刻EUV光刻机,也就是机没数值孔径=0.33NA的光刻机,而不是有下艺达最新的High NA EUV。
台积电说是代芯到极因为其太贵了,一台要3.5亿欧元,片工接近30亿人民币,中国不划算。芯的息E限
另外,好消也因为ASML的光刻这种High NA EUV产量有限,一年才几台,机没或10来台左右,有下艺达已经被intel预订了大部分产能,代芯到极台积电也暂时抢不到货。
所以台积电基于价格、产能等,决定继续在标准EUV光刻机上,采用多重曝光技术,制造1.6nm芯片,台积电说,并不是只有High NA EUV才能进入2nm以下,标准EUV也行的。
当然,台积电也没有将话说死,也并不是说不一定不用这种High NA EUV,要看具体怀况,要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定。
事实上,台积电的左右为难,也是ASML当前的尴尬处境,那就是EUV光刻机更新换代越来越贵,一般的客户根本用不起。
甚至因为量产成本太高,EUV光刻机,从High NA EUV之后,可能就没有下一代了,这可能是最后一代了。
High NA EUV对应之前的标准EUV,有几大改进,一是NA也就是数值孔径从0.33变成了0.55,数值孔径越大,进入的光线越多,功率越高,那么分辨率就越高。
所以标准EUV光刻机刻画的半间距是13.5nm,而High NA EUV可以达到8nm。
另外功率方面,从1.5兆瓦,提升到2兆瓦,效率也更高了,从原来的每小时200片12寸晶圆,变成了400-500片晶圆。
在ASML之前的技术演进中,High NA EUV之后,就是Hyper NA EUV,这种EUV光刻机功率更大,NA达到0.75,分辨率更高,速度更快,效率也更高。
不过对于这种NA=0.75的光刻机,ASML也表示,因为其量产难度非常大,理论上可能存在,但实际上也许量产不了,就算量产了,成本也太贵,实际用于商用,可能很难,没有什么晶圆厂会买单。
看到这里,大家或许明白了,High NA EUV之后,继续按照EUV光刻机的路去走,已经走不通了,因为EUV光刻机或许真的没有下一代了。
而这些年,ASML不断的研发新光刻机,每次新光刻机诞生,都能推动芯片工艺的进步,可以说光刻机就是整个芯片工艺术前进的火车头。一旦ASML没有更先进的光刻机了,工艺差不多也就止步了,对于晶圆厂,对于整个芯片产业而言,都是一个不好消息,那就是芯片工艺或许也无法前进了。
那么整个芯片产业,都将陷入尴尬局面,难道大家都止步不前?等ASML的新一代光刻机?或许到这个时候,换道,换方向会是ASML或整个芯片产业的方向。
当然,这对于中国芯而言,也是一件好消息,毕竟跑在前面的被墙挡住了,只能在原地等,我们跟在后面的,相信很快也就能够追上了,你觉得呢?
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